型号:ZXMP6A18DN8TA | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Diodes Inc |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET 2P-CH 60V 4.6A 8-SOIC |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET 2P-CH 60V 4.6A 8-SOIC |
系列 | - |
制造商 | Diodes Inc |
FET型 | 2 个 P 沟道(双) |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 3.7A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 55 毫欧 @ 3.5A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 44nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 1580pF @ 30V |
功率_最大 | 1.25W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
深圳市百域芯科技有限公司 | 雷小姐075582788062 |
深圳市品优时代科技有限公司 | 唐0755-23612326 |
深圳市向鸿伟业电子有限公司 | 李先生86-0755-82561519 |
深圳市鑫远鹏科技有限公司 | 谌小姐15112667855 |
深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
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深圳市金鑫弈科技有限公司 | 侯先生086-755-83349415/83229300 |
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